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    由於有發放具體實驗操作步驟，兩個多小小時候合成相應的產。

    李默戴著口罩和手套，小心翼翼地將這種未知的黑色粉末密起來，拿到電子顯微鏡下開始觀察。

    找了不到分鍾後才發現了許黎述的十二邊氧化矽分。

    看到這，李默申請也是有興奮。

    沒想到這種化分子的存在，隨即他便開始吩咐幾個究人員。

    準備氣相沉積！

    氣相沉積簡稱CVD，是指把含有構成薄膜元素的氣態應劑或液態應劑的蒸氣反應所需其它氣體引入反應，在襯底表麵發生化學反應生成薄膜的過程。

    很多大的集成電路中的很多薄膜，往往都通過氣相沉積製備的。

    主要也分熱化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積和等離子體化學氣沉積，這三種對的實驗設備和手段也不同。

    是氣相沉想要成功製備出薄膜，就需滿足三必要的製備條件。

    首先，在沉積溫度下，反應物具有足夠的蒸氣壓，並能以適當度被入反應室；

    其次，反應產物除形成固態薄膜物質外，都必須是揮發性的；

    最後，積薄膜和體材料必須有夠低的蒸氣壓。

    三者缺不可。

    李默很開黑色粉末轉移到氣沉備，啟設備。

    而這一段時間內就隻能先等了。

    一個鍾之，氣相沉積搞定。

    李默將積的薄從箱子取出，一張半徑在60厘米的半透明薄膜被正試驗台上，呈現在眾人麵前。

    看這張薄膜，幾個研究員都是好奇。

    這種薄膜有什用處？

    不過，光是一張還不夠，他們接著從其的氣相沉積設備，取薄膜。

    經過加工清洗，李默等人才將其拿到電顯微下觀察。