單晶矽片是製作芯片的基礎。芯片就是pu，是構建電腦的重要部件。一般包含控製部分，運算部分，存儲部分。芯片的製作一般經過晶圓來製作，。單晶矽片就是晶圓。

    單晶矽片經過清洗後，被送入加熱爐高溫加熱，形成二氧化矽氧化膜，然後被塗上一層光感層。通過製好的集成電路照射後，在光感膠上形成電路的圖案。電路的圖案被顯影之後，圖案被留在光感膠上。

    通過離子注入，注入硼，磷等元素，電子元件就變成半導體元件，通過電鍍的方式，形成金屬連線。經過多層地刻蝕電路，構築金屬連線，芯片就構成了立體結構。芯片製成之後，就成為強大的控製核心pu。

    “

    其他的功能性集成電路芯片都是通過這種方法製成。

    用製造芯片的方法製得了多種控製芯片。這樣就可以形成自動化生產，自動化控製。例如發電，煉鋼，化工等等很多地方加入控製芯片之後，生產效

    率和產品質量都有質的變化。

    在現代社會中，芯片已經融入了社會生活的v方方麵麵。在黃明以前所處的社會中，芯片更是無處不在。

    在第一塊芯片被生產出來，並通過封裝測試合格後，黃明腦中突然響起“嘀“的一聲，“恭喜宿主獲宇宙貢獻度1000，抽獎兩次，生產型大型宇宙飛船一艘。獎品已發放至宿主包裹，請注意查收。是否立即抽獎?“黃明點了是。“恭喜宿主獲得光劍電池5。宇航飛船可進行充能。是否立即充能?“黃明點了是。“宇航飛船充能完畢，消耗光劍電池1。大型宇宙生產飛船可充能，是否立即充能？“黃明點了是。“大型宇宙生產飛船充能完畢，消耗光劍電池。時空穿越器可充能，是否立即充能？“這次黃明末點。“宿主還有一次抽獎機會，是否立即使用?“黃明點了是。“恭喜宿主獲得光劍電池5。已放入包裹，請注意查收。是否花費一貢獻度繼續抽獎？“黃明沒有理踩。不過黃明的眼前還有一條信息“時空穿越器可充能，是否立即充能？“黃明沉吟了一下，點了是。

    “時空穿越器充能完成，消耗光劍電池。大型宇宙運輸飛船可充能，是否立即充能?“黃明點了是。“大型宇宙運輸飛船充能完畢，消耗光劍電池。“

    計黃明現在共計：開啟抽獎糸統，商城係統，遊戲係統。包裹係統。

    宇宙貢獻度：4150。星幣：三十萬零一千元。包裹：遊戲內包裹100，係統包裹4格。

    物品=：光劍三把，光劍電池三個，宇航飛船一艘，(已充能)，時空穿越器一艘(已充能)，大型宇宙運輸飛船一艘(已充能)，大型宇宙生產飛船一艘(已充能)

    1晶圓製造工藝詳解

    ????表麵清洗

    晶圓表麵附著一層大約u的al和甘油混合液保護之，在製作前必須進行化學刻蝕和表麵清洗。

    初次氧化

    有熱氧化法生成si 緩衝層，用來減後續中sin4對晶圓的應力氧化技術：幹法氧化si(固)+  si(固)和濕法氧化si(固)+h  si(固)+h。幹法氧化通常用來形成，柵極二氧化矽膜，要求薄，界麵能級和固定電荷密度低的薄膜。幹法氧化成膜速度慢於濕法。濕法氧化通常用來形成作為器件隔離用的比較厚的二氧化矽膜。當si膜較薄時，膜厚與時間成正比。si膜變厚時，膜厚與時間的平方根成正比。因而，要形成較厚si膜，需要較長的氧化時間。si膜形成的速度取決於經擴散穿過si膜到達矽表麵的及h基等氧化劑的數量的多少。濕法氧化時，因在於h基si膜中的擴散係數比的大。氧化反應，si 表麵向深層移動，距離為si膜厚的044倍。因此，不同厚度的si膜，去除後的si表麵的深度也不同。si膜為透明，通過光幹涉來估計膜的厚度。這種幹涉色的周期約為00n，如果預告知道是幾次幹涉，就能正確估計。對其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用

    計或橢圓儀等測出。si和si界麵能級密度和固定電荷密度可由s二極管的電容特性求得。(100)麵的si的界麵能級密度最低，約為10e+10-- 10e+11/ ?ev-1 數量級。(100)麵時，氧化膜中固定電荷較多，固定電荷密度的大成為左右閾值的主要因素。

    熱vd(hvd)/(heralvd)

    此方法生產性高，梯狀敷層性佳(不管多凹凸不平，深孔中的表麵亦產生反應，及氣體可到達表麵而附著薄膜)等，故用途極廣。膜生成原理，例如由揮發性金屬鹵化物()及金屬有機化合物(r)等在高溫中氣相化學反應(熱分解，氫還原、氧化、替換反應等)在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、矽化物、硼化物、高熔點金屬、金屬、半導體等薄膜方法。因隻在高溫下反應故用途被限製，但由於其可用領域中，則可得致密高純度物質膜，且附著強度極強，若用心控製，則可得安定薄膜即可輕易製得觸須(短纖維)等，故其應用範圍極廣。熱vd法也可分成常壓和低壓。低壓vd適用於同時進行多片基片的處理，壓力一般控製在05-0rr之間。作為柵電極的多晶矽通常利用hvd法將sih4或sih。氣體熱分解(約650)澱積而成。采用選擇氧化進行器件隔離時所使用的氮化矽薄膜也是用低壓vd法，利用氨和sih4 或sih6反應麵生成的，作為層間絕緣的si薄膜是用sih4和在400--4500的溫度下形成sih4+-si+h或是用si(h5)4(es:era ehy sin)和在750左右的高溫下反應生成的，後者即采用es形成的si膜具有台階側麵部被覆性能好的優點。前者，在澱積的同時導入ph 氣體，就形成磷矽玻璃( psg： phsphr siliae gss)再導入bh6氣體就形成bpsg(brr ? phsphr siliae gss)膜。這兩種薄膜材料，高溫下的流動性好，廣泛用來作為表麵平坦性好的層間絕緣膜。

    熱處理

    在塗敷光刻膠之前，將洗淨的基片表麵塗上附著性增強劑或將基片放在惰性氣體中進行熱處理。這樣處理是為了增加光刻膠與基片間的粘附能力，防止顯影時光刻膠圖形的脫落以及防止濕法腐蝕時產生側麵腐蝕(sideehing)。光刻膠的塗敷是用轉速和旋轉時間可自由設定的甩膠機來進行的。首先、用真空吸引法將基片吸在甩膠機的吸盤上，把具有一定粘度的光刻膠滴在基片的表麵，然後以設定的轉速和時間甩膠。由於離心力的作用，光刻膠在基片表麵均勻地展開，多餘的光刻膠被甩掉，獲得一定厚度的光刻膠膜，光刻膠的膜厚是由光刻膠的粘度和甩膠的轉速來控製。所謂光刻膠，是對光、電子束或線等敏感，具有在顯影液中溶解性的性質，同時具有耐腐蝕性的材料。一般來，正型膠的分辯率高，而負型膠具有感光度以及和下層的粘接性能好等特點。光刻工藝精細圖形(分辯率，清晰度)，以及與其他層的圖形有多高的位置吻合精度(套刻精度)來決定，因此有良好的光刻膠，還要有好的曝光係統。

    去除氮化矽

    此處用幹法氧化法將氮化矽去除

    離子注入

    離子布植將硼離子(b+)透過 si 膜注入襯底，形成p型阱離子注入法是利用電場加速雜質離子，將其注入矽襯底中的方法。離子注入法的特點是可以精密地控製擴散法難以得到的低濃度雜質分布。s電路製造中，器件隔離工序中防止寄生溝道用的溝道截斷，調整閥值電壓用的溝道摻雜， s的阱形成及源漏區的形成，要采用離子注入法來摻雜。離子注入法通常是將欲摻入半導體中的雜質在離子源中離子化，然後將通過質量分析磁極後選定了離子進行加速，注入基片中。

    退火處理

    去除光刻膠放高溫爐中進行退火處理以消除晶圓中晶格缺陷和內應力，以恢複晶格的完整性。使植入的摻雜原子擴散到替代位置，產生電特性。

    去除氮化矽層